(과거) 화학시장정보
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플라스틱 위에 나노선 트랜지스터 구현
작성일: 2008-12-30
광주과기원(GIST, 원장 선우중호) 연구팀이 구부린 상황에서도 전기적 특성을 갖는 나노와이어 트랜지스터 제조 기술을 개발하는 데 성공해 국제 학계의 주목을 받고 있다.

광주과학기술원은  신소재공학과 이탁희 교수팀이 산화아연(ZnO)과 산화인듐(In2O3) 두 종류의 나노선(nanowire) 전계효과트랜지스터(field effect transistor)를 폴리머 유전체를 사용해 플라스틱 기판 위에 두 가지 구조로 제작하고, 이 나노전자 소자가 휘어진 상황에서 어떤 전기적 특성을 나타내는지 규명했다고 밝혔다. 이 연구는 과학재단 국가지정연구실사업과 21세기 프론티어 연구개발사업의 일환인 양성자기반공학기술개발사업을 통해 수행됐다.
 
▲ 이번에 개발된 나노와이어 트랜지스터는 구부린 상황에서도 전기적 특성을 갖는다. 
 
플라스틱을 기판으로 사용한 전자소자와 산화아연을 활용한 트랜지스터 연구는 구부릴 수 있다는 장점 때문에 차세대에 주목받는 반도체 소자기술이다. 또한 반도체 나노선은 우수한 전기적, 광학적, 기계적, 열적 특성을 나타내기 때문에 전계효과트랜지스터, 발광소자, 논리회로(logic circuit) 등과 같은 다양한 나노소자의 기초 나노물질이 된다.

이 중 전계효과트랜지스터는 논리회로를 구성하는 가장 기본적인 단위소자로서, 특히 플라스틱을 기판으로 한 소자에 응용했을 때의 전도특성을 이해하는 것은 매우 중요한 과제로 꼽혀왔다.

이 교수팀은 탑 게이트(Top-gate)와 바텀 게이트(Bottom-gate)라는 두 가지 구조로 나노전자 소자를 제작한 뒤 휘어졌을 때 나타나는 전기적 특성 변화를 분석했다. 기판 위에 나노와이어 트랜지스터를 놓고, 트랜지스터 내부 게이트 전극의 위치를 위로 두는 것이 탑 게이트(Top-gate) 구조, 아래에 놓는 것이 바텀 게이트(Bottom-gate) 구조이다.

이러한 연구결과는 구부리거나 휘어진 경우에도 전기가 통하는 플라스틱 전자소자와 나노와이어 소자 응용기술의 융합으로 차세대 반도체 소자기술을 제조할 수 있는 기초를 다졌다는 데 의미가 있다. 이 교수팀의 연구는 세계적인 재료공학분야 국제학술지인 '어드밴스드 머티리얼스(Advanced Materials, Impact Factor: 8.191)'  최근호에 게재됐다.

이탁희 교수는 "현재 플라스틱을 기판으로 사용한 전자소자와 산화아연을 활용한 트랜지스터 연구는 세계 각국에서 활발하게 이뤄지고 있으며, 그 중에서 전도특성을 이해하는 것이 중요한 과제로 인식되고 있다"며 "산화아연 나노와이어 트랜지스터의 소자 전도특성을 이해함으로써 향후 플라스틱 나노전자회로 분야에 응용할 수 있을 것"이라고 말했다.
 
출처:사이언스타임즈